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近日，市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢發(fā)布報告指出，由于英偉達(dá)等云端服務(wù)業(yè)者自研芯片的需求增加，存儲器原廠正在積極擴(kuò)大TSV產(chǎn)線，以提升高帶寬內(nèi)存（HBM）的產(chǎn)能。預(yù)計到2024年，HBM的出貨量將增長105%。報告進(jìn)一步指出，到2023年，主流需求將從HBM2e轉(zhuǎn)向HBM3，需求比重預(yù)計分別為50%和39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，預(yù)計到2024年，市場需求將大幅轉(zhuǎn)向HBM3，其比重將直接超越HBM2e，達(dá)到預(yù)計的60%。受益于其更高的平均銷售單價，將帶動明年HBM營收顯著增長。在競爭格局方面，目前SK海力士的HBM3產(chǎn)品領(lǐng)先其他原廠，成為英偉達(dá)服務(wù)器GPU的主要供應(yīng)商。而三星則主要滿足其他云端服務(wù)業(yè)者的訂單。預(yù)計在今年，由于客戶訂單的增加，三星與SK海力士的市場份額差距將大幅縮小。預(yù)計在2023年至2024年，兩家公司的HBM市場份額將相當(dāng)，合計占據(jù)HBM市場的95%。另一方面，美光今年專注于開發(fā)HBM3e產(chǎn)品。但由于SK海力士和三星大幅擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計在未來兩年，美光的市場份額將受到排擠，略有下滑。HBM是一種基于3D堆疊工藝的高效能DRAM，由三星電子、超微半導(dǎo)體和SK海力士共同發(fā)起，主要應(yīng)用于圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)裝置等高內(nèi)存頻寬需求的應(yīng)用場合。